细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

碳化硅工艺

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区

实现碳化硅离子注入的方法在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。 SiC离子注入通常在高温条件下进行，以最大程度减少离子轰击对晶格的损坏。对碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏带你全方位了解碳化硅 (SiC)

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

碳化硅是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关重一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造电子工程专辑 EE

碳化硅百度百科

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。KABRA工艺本质是上将激光聚焦在碳化硅材料的内部，通过“无定形黑色重复吸收”，将碳化硅分解成无定形硅和无定形碳，并形成作为晶圆分离基点的一层，即黑色无定形层，吸收顺应降本增效趋势，半导体碳化硅 (SiC) 衬底4种切割技术详解

系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇

目前生长碳化硅单晶最成熟的方法是物理气相输运（PVT）法，其生长机理是：在超过2000 ℃高温下将碳粉和硅粉升华分解成为Si原子、Si2C分子和SiC2分子等气相物质，在温度碳化硅的合成、用途及制品制造工艺碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区

碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学

在熔液法方面，我们在仿真模拟、工艺研究、配方探索方面做了一些工作。在学校里我们可以生长出4英寸单晶，在热场设计和基本工艺方面是完全掌握的。另外我们探索了适合N型碳化硅单晶生长熔液配方。在本文中，对近年来重结晶碳化硅材料的制备工艺、结构与性能特点、使用性能研究以及材料应用等方面进行了综述。 0* 1 重结晶碳化硅材料的制备工艺研究重结晶碳化硅材料的制备方法如下:以两种不同粒度级配的高纯碳化硅为原料，添加适量临时结合剂重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展

碳化硅意法半导体STMicroelectronics

SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。意法半导体积极进行产能扩张，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，以（2）碳化硅器件工艺技术水平还比较低，这是制约碳化硅功率器件发展和推广实现的技术瓶颈，特别是高温大剂量高能离子注入工艺、超高温退火工艺、深槽刻蚀工艺和高质量氧化层生长工艺尚不理想，使得碳化硅功率器件中存在不同程度的高温和长期工作条件系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇

碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法电子发烧友网

碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法HTCVD法能通过控制源输入气体比例可以到达较为精准的 Si/C比，进而获得高质量、高纯净度的碳化硅晶体，但由于气体作为原材料晶体生长的成本很高，该法主要用于生长半绝缘型晶体。与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻

碳化硅工艺百度文库

碳化硅工艺碳化硅工艺是一种重要的制备碳化硅材料的方法，具有高温稳定性和优异的性能。随着碳化硅在电子、光学和化学等领域的广泛应用，碳化硅工艺也在不断发展和完善。相信在未来，碳化硅将在更多领域展现其独特的优势和应用价值。 2 热解法热知乎有问题，就会有答案

浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析百家号

浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器件制造、检测与封装等步骤。 SiC的应用前景广阔，为电力电子技术发展开辟新道路。在半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在 5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈、中国智造2025的大背景下，宽禁带半导体材料，无疑是中国半导体产业弯道碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件

cvd碳化硅工艺流程百度文库

cvd碳化硅工艺流程二、加载硅衬底在CVD碳化硅工艺中，首先将清洁处理过的硅衬底放置于反应室中，固定好位置。硅衬底表面应尽量避免有杂质和氧化物，以免影响薄膜质量。碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

碳化硅生产工艺百度文库

碳化硅生产工艺每1kg SiC电耗为6～7kWh，生产周期升温时为26～36h,冷却24h。摘要/Abstract 摘要：随着碳化硅功率器件和芯片技术的快速发展,对碳化硅物理强度、散热性及尺寸要求越来越高,因而,对碳化硅晶片的减薄处理逐渐成为晶圆加工的重要课题。由于碳化硅材料断裂韧性较低,在减薄加工过程中易开裂,碳化硅晶片的高效率、高质量加工成为急需突破的瓶颈。本文基于碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响

碳化硅封装——三大主流技术！电子工程专辑

碳化硅 (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游应用等解析根据《中国战略性新兴产业：新材料 (第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链