细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
制造碳化硅设备
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长 碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体科技股份
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
图7:碳化硅制造所需设备的整体国产化率低,长晶设备基本实现国产化 资料来源:各公司官网、半导体在线微信公众号、中商情报网等、开源证券研究所据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD等关键设备方面 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
主营产品包括全自动晶体生长设备、晶体加工设备、晶片加工设备、碳化硅长晶设备及外延设备等,主要应用于集成电路、太阳能光伏及LED等领域。碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿 东吴证券碳化硅设备行业深度报告:SiC东风已来,关注衬底与
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅 针对中国市场需求与客户痛点，PVA TePla打造的碳化硅晶体生长设备“SiCN”以自身的四大优势来助力中国半导体产业高质量发展： 1．定制化系统 首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展
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英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The
无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术、解决方案、售后服务以及创新产品，满足其防腐蚀要近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长设备——SiCN。 德 德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”
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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。Explore the comprehensive landscape of China's silicon carbide industry and its superior materials for highfrequency, temperatureresistant devices知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
图7:碳化硅制造所需设备的整体国产化率低,长晶设备基本实现国产化 资料来源:各公司官网、半导体在线微信公众号、中商情报网等、开源证券研究所碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成 近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长设备——SiCN。德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力
中国，上海—2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势 03045多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化——碳化硅设备行业深度报告威徐乔威分析师文李启文研究助理01xuqiaowei03970@gtjasliqiwen07858@gtjas证书编号SS本报告导读：碳化硅具备增效与节能的优势，有望在中高 国泰君安碳化硅设备行业深度报告：多技术并行
迈向半导体碳化硅设备龙头,设备零部件协同布局铸造高壁垒+
2) 芯片制造和封装制造设备:碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和封装制造端, 开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备。尤其在功率半导体方面,公司8 英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 艾邦
虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化硅衬底规划 根据调研情况，目前碳化硅晶圆制造厂主流CMP设备的产能与设备增量关系为：每万片月产能对应6台设备。 因此，集微咨询（JW Insights）预测，2024和2025年中国大陆碳化硅衬底制造用CMP设备增量约为80台。集微咨询发布《中国CMP设备行业研究报告》
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 电子工程专辑 EE
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大,外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延设备是第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一，下游市场的飞速增长，不断的扩产需求也助推了碳化硅外延设备的市场增长，国内的外延设备企业纷纷开始推动布局。国产替代不可当，芯三代“卷”出圈？设备外延公司
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国内碳化硅外延片市场简析中国设备产业
根据TrendForce集邦咨询分析，中国碳化硅外延片产业自2022年进入快速成长期，2023年整体市场规模已达到约225亿美元，至2026年有望上升至1482亿美元。 作为制造碳化硅外延片的关键要素，外延设备的重要性不言而喻，ASM、Veeco等来自传统硅及化合物半导体产业 碳化硅从材料到器件的制造过程会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。碳化硅产业链上游为衬底和外延；中游为器件和模块制造环节，包括SiC二极管、SiCMOSFET、全SiC模块、SiC混合模块等；下游应用于5G通信、国防应用、数据传输、航空航天、新能源汽车、光伏 2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图）
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对话芯联集成总经理赵奇：8英寸碳化硅“器件制造”难在哪里？
8英寸碳化硅器件制造难在哪里？ 对于碳化硅晶圆制造设备与硅基晶圆制造设备的区别，赵奇表示：“其实，两者90%的设备是一样的。 由于碳化硅比较坚硬，所以在器件制造过程中，我们必须把它的温度加到比硅基更高。碳化硅制造市场规模在不断增长，但供货能力有限，需要掌握高精尖技术和扩大供货能力以应对市场需求。CVD设备和CCP刻蚀机分别用于LED、半导体和光伏行业，而不同颜色的LED使用不同的沉积法。石墨提纯能力、精加工和碳化硅CVD技术是该行业的三个关键门槛，设备制造需要投入数百万元到数千万元。碳化硅制造市场现状及设备国产化分析（6500字）
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。Explore the comprehensive landscape of China's silicon carbide industry and its superior materials for highfrequency, temperatureresistant devices知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国
图7:碳化硅制造所需设备的整体国产化率低,长晶设备基本实现国产化 资料来源:各公司官网、半导体在线微信公众号、中商情报网等、开源证券研究所碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成 近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长设备——SiCN。德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力
中国，上海—2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势 03045多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化——碳化硅设备行业深度报告威徐乔威分析师文李启文研究助理01xuqiaowei03970@gtjasliqiwen07858@gtjas证书编号SS本报告导读：碳化硅具备增效与节能的优势，有望在中高 国泰君安碳化硅设备行业深度报告：多技术并行
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2) 芯片制造和封装制造设备:碳化硅外延设备加速突破。公司由硅片设备延伸至芯片制造和封装制造端, 开发出晶圆及封装端减薄设备、外延设备、LPCVD设备。尤其在功率半导体方面,公司8 英寸单片式碳化硅外延设备、6英寸双片式碳化硅外延设备技术处国际领先水平。
炉渣二道磨粉机,高湿物料
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