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细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

碳化硅炉

  • 国内碳化硅(SiC)长晶炉供应商10强 艾邦半导体网

    2 天之前  目前国内主要的碳化硅长晶炉厂商主要分为两种类型,一是专业晶体生长设备供应商,二是碳化硅衬底厂商(采用自研/自产设备的模式),在两者共同推动下,基本实现 碳化硅外延炉的好坏主要有三个方面的指标,首先是外延生长性能,包括厚度均匀 碳化硅外延生长炉的不同技

  • 碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

    碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热 3 天之前  碳化硅外延炉的好坏主要有三个方面的指标,首先是外延生长性能,包括厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率;其次是设备本身温度性能,包括升温/降温速率、 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 艾邦半导体网

  • 中国碳化硅的2024,是未来也是终局 澎湃新闻

    2022年8月26日  一、SiC是最适合功率器件的材料 由硅组成的半导体材料改变了我们的生活,相信在未来很长的一段时间里,硅半导体依然会是主流。 在硅材料几十年的发展过程 来源:中国粉体网 山川 38390人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 还有2页,登录查看 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯

  • 调研|露笑科技布局碳化硅进展:首批50台长晶炉已全部投产

    2021年11月17日  碳化硅晶体生成后,需要经过切、磨、抛等工艺流程,该阶段与公司原蓝宝石生产工艺相近。 程明认为,SiC大市场应用在新能源领域,预计2023~2025年 2024年6月14日  南京晶升装备股份有限公司成立于2012年2月,是一家专业从事812英寸半导体级单晶硅炉、68英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新 南京晶升装备股份有限公司半导体级单晶硅炉碳化硅单晶炉

  • 碳化硅原料合成炉 (100~150kg,电阻式)

    首页 产品 晶体生长加工设备 碳化硅(SiC)长晶炉 采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法, 合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。 可提供半定制化服务 高真空 腔体内壁经 2023年5月4日  碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅 百度百科

  • 碳化硅原料合成炉 HCSCET1000系列南京晶升装备股份

    碳化硅原料合成炉 HCSCET1000系列 应用领域:主要应用于根据客户差异化应用需求,研发的定制化晶体生长设备产品介绍 碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。 碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点,在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛,同时在雷达通讯 碳化硅单晶生长炉山西烁科晶体有限公司

  • 天科合达官网 TankeBlue

    2024年4月30日  天科合达团队拥抱创新技术,推动世界进步 欢迎斗志昂扬、才华横溢、渴望创新的人才加入天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月,总部位于北京市大兴区,是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生 采用感应/电阻式加热方式,在不锈钢腔体内以液相法生长SiC晶体,并可兼容物理气相法 (PVT)。LPE碳化硅长晶炉

  • 碳化硅 百度百科

    2023年5月4日  碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体,在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体,用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 碳化硅原料合成炉 HCSCET1000系列南京晶升装备股份有限公司半导体级单晶硅炉碳化硅单晶炉蓝宝石单晶炉碳化硅原料合成炉 HCSCET1000系列南京晶升装备股份

  • 碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉真空炉 simuwu

    碳化硅真空烧结炉 该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结,也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃,具有排胶、除尘系统,排胶烧结一次完成。有卧式、立式两种型式。 获取报价 描述 参数 联系我们2022年5月11日  标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 还有2页,登录查看全文 推荐 9 作者:山川 总阅读量: 查看ta的文章一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯

  • 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关

    2023年9月27日  与硅基材料相比,碳化硅衬底工艺难度高,制备效率低,截至2023年7月,国内碳化硅衬底环节的综合良率仅在37%左右,与 Wolfspeed 等海外龙头85%的良率差距较大。 国内龙头碳化硅单晶炉CR2约80%,设备基本实现国产化。窑炉用碳化硅板子 产品描述 碳化硅旋流器内衬:高耐磨旋流器碳化硅内衬,是一种新型耐磨材料,这种内衬材料具有 硬度高、特耐磨、抗冲击、耐高温、耐酸碱腐蚀等特点,实际使用寿命是聚氨酯的 6 倍以上 。 我公司生产的整体内衬碳化硅陶瓷旋流器是传统 窑炉用碳化硅板子

  • 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 艾邦半导体网

    3 天之前  三种碳化硅外延生长炉的差异 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案,三种技术设备也有各自的特点,可以根据需求进行选择,其结构示意如下图所示: 热壁水平式CVD系统,一般为气浮驱动旋转 碳化硅炉气的排放和回收利用概况以碳化硅粒度砂为主要原料的砂轮砂布广泛应用于不锈钢、 陶瓷及石材加工等方面的抛光磨 具。 绿碳化硅即使在高温下也具有高强度,其弹性模在 1600℃时才开始衰减,在 2815℃时 才开始分解,但在常压下不熔化,绿碳化硅 碳化硅炉气的排放和回收利用概况百度文库

  • 碳化硅烧结炉 烧结、还原炉系列 株洲晨昕中高频

    2024年2月3日  碳化硅烧结炉产品介绍: CXSCSF系列碳化硅烧结炉炉是一种立式上出料间歇式感应加热炉,最高工作温度为2400°C。 碳化硅烧结炉用途: 主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化钨 碳化硅炉管 CORESIC ® SP碳化硅炉管通常采用等静压成型。 通过专业制造技术,我们能够生产 公差极严格的炉管。 添加法兰,钻孔,切割槽等。 CORESIC ® SP碳化硅具有高纯度,碳化硅含量大于99%, 不会污染物料。 CORESIC ® SP碳化硅炉管管即使在高温下也 碳化硅炉管江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer

  • 知乎专栏 随心写作,自由表达 知乎

    Explore the world of creative writing and free expression on Zhihu's dedicated column platform摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社

  • 2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析(附产业链全景图)

    2024年5月17日  2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析(附产业链全景图) 中商情报网讯:碳化硅属于第三代半导体材料,处于宽禁带半导体产业的前端,是前沿、基础的核心关键材料。 近年来,伴随国内新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等 2023年6月29日  碳化硅外延设备环节市场“蛋糕”不断增大,随着新入局的玩家增多,机台结构逐步优化,在生长速率,COO成本、设备稳定性、维护便利性和可靠性等方面稳步提升,以及大尺寸设备的开发推进,国产替代步伐加快,碳化硅外延环节的降本指日可待! 我们 市场国产碳化硅外延炉设备竞争江湖 电子工程专辑 EE

  • 碳化硅炉管的一些基本简介 百度文库

    此外,碳化硅炉管还拥有很高的耐高温性能,能够耐百度文库高达1800℃的高温,这使它可以用于高温反应设备中,例如化工高温反应器、炼铁高炉等。 最后,碳化硅炉管还具有较好的导热性和高强度特性,这使得碳化硅炉管可以在各种恶劣的工艺条件下稳定运行。2022年4月16日  宁波恒普真空科技股份有限公司是中国主要烧结炉制造厂商之一, 主营:碳化硅长晶炉,晶体生长,半导体,实验室等行业用炉或设备等,拥有完整而坚实的研发技术团队,累积丰富经验, 满足客户所需, 为客户创造价值。碳化硅长晶炉恒普科技宁波恒普真空科技股份有限公司

  • 艾奇逊法碳化硅冶炼炉的生产工艺反应

    2019年2月26日  碳化硅冶炼时,电阻炉供电,炉芯体温度上升,达到2600℃左右,通过炉芯体表面传热给周围的混合料,使之发生反应生成碳化硅,并溢出CO。CO在炉表面燃烧成CO2,形成一个柔和、起伏的蓝色至黄色的火焰毡被;一小部分未燃烧的CO则弥散于大气 碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点,在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛,同时在雷达通讯、航空母舰、舰舶等军事领域可提高军事电子系统和 碳化硅单晶生长炉山西烁科晶体有限公司

  • 天科合达官网 TankeBlue

    2024年4月30日  天科合达团队拥抱创新技术,推动世界进步 欢迎斗志昂扬、才华横溢、渴望创新的人才加入天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月,总部位于北京市大兴区,是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生 采用感应/电阻式加热方式,在不锈钢腔体内以液相法生长SiC晶体,并可兼容物理气相法 (PVT)。LPE碳化硅长晶炉

  • 碳化硅 百度百科

    2023年5月4日  碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体,在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体,用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 碳化硅真空烧结炉 该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结,也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃,具有排胶、除尘系统,排胶烧结一次完成。有卧式、立式两种型式。 获取报价 描述 参数 联系我们碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉真空炉 simuwu

  • 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯

    2022年5月11日  标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 还有2页,登录查看全文 推荐 9 作者:山川 总阅读量: 查看ta的文章2023年9月27日  与硅基材料相比,碳化硅衬底工艺难度高,制备效率低,截至2023年7月,国内碳化硅衬底环节的综合良率仅在37%左右,与 Wolfspeed 等海外龙头85%的良率差距较大。 国内龙头碳化硅单晶炉CR2约80%,设备基本实现国产化。碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关

  • 窑炉用碳化硅板子

    窑炉用碳化硅板子 产品描述 碳化硅旋流器内衬:高耐磨旋流器碳化硅内衬,是一种新型耐磨材料,这种内衬材料具有 硬度高、特耐磨、抗冲击、耐高温、耐酸碱腐蚀等特点,实际使用寿命是聚氨酯的 6 倍以上 。 我公司生产的整体内衬碳化硅陶瓷旋流器是传统 3 天之前  碳化硅CVD外延一般采用热壁或温壁式CVD设备,在较高的生长温度条件(1500~1700℃)下保证了外延层4H晶型SiC的延续,热壁或温壁式CVD经过多年的发展,按照进气气流方向与衬底表面的关系,反应室可以分为水平卧式结构反应炉和垂直立式结构 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 艾邦半导体网